Batman Universitesi Yasam Bilimleri Dergisi
www.yasambilimleridergisi.com
Cilt 2, Sayı 1  Temmuz-Aralık 2012  (ISSN: 2147-4877, E-ISSN: 2459-0614)
İsmail ARSEL

NO Makale Adı
1363021222 On The Profile Of Frequency Dependent Series Resistance And Interface States In Al/TiO2/p-Si (MIS) Structures

Sol-gel yöntemiyle hazırlanan Al/TiO2/p-Si (MIS) yapıların iletkenlik-voltaj(G/ω-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristiklerinin frekansa bağımlılığı oda sıcaklığında seri dirençler (Rs) ve arayüzey (Nss) durumlarına etkisi gözönüne alınarak incelenmiştir. Ölçülen kapasidans (C) ve iletkenkiğin (G/ω), frekansa ve öngerilime kuvvetle bağlı olduğu bulunmuştur. Ölçülen sığa (C) ve iletkenlik (G/ω) değerlerinin, dolma ve boşalma bölgelerinde frekansın artması ile azaldığı, Si/TiO2 arayüzeyinde Nss ölçülmüştür. Seri direnç-gerilim ( Rs-V), grafiğinde bir tepe noktası vardır ve tepe noktasının yeri, azalan frekansla birlikte ters bölgeye doğru kayar. Gerçek (MIS) kapasidans (C) ve iletkenlik (G/ω) değerlerini elde etmek amacıyla kapasidans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G/ω-V) ölçümlerinin her ikisi ileri ve geri önyargılar altında seri dirençlerin etkisi için düzeltilmiştir. Frekansa bağlı kapasidans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G/ω-V) ölçümleri son derece etkili elektriksel karakteristiklerin çok önemli iki parametresi MMS yapısında Rs ve Nss olduğunu gösterir.